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2025年12月25日，中国政府采购网一则公告引爆国产半导体圈：上海微电子以1.1亿元成交价，斩获科学技术部步进扫描式光刻机采购项目，中标设备型号为SSC800/10，这一突破为国产光刻机市场化迈出里程碑式一步。作为国内唯一具备先进前道光刻机研发制造能力的企业，上海微电子此次中标设备实力硬核：分辨率≤110nm、套刻精度≤15nm，可支持微米级乃至亚微米级结构的高稳定加工，更是万通道级神经电极制造

尽管此前达成50亿美元战略协议，但英特尔与英伟达的晶圆代工合作并未按预期推进。消息人士透露，英伟达已完成对英特尔18A工艺的采样测试，后续不再推进相关代工合作，这一动态引发行业对先进制程博弈的关注。作为英特尔IDM2.0战略的核心，18A工艺（18埃米，对应1.8纳米）搭载RibbonFET全环绕栅极与PowerVia背面供电技术，主打高能效比，核心适配自家PantherLake等移动端AIPC处

12月25日，美国银行分析师VivekArya重磅预测，2026年全球半导体产业营收将同比激增30%，总额有望突破1万亿美元（按现汇率约合7.03万亿元人民币），行业高景气周期将持续深化。在细分领域中，AI数据中心被视为最强增长极。分析师指出，到2030年该领域潜在市场总额将超1.2万亿美元，年复合增长率高达38%，其中仅AI加速器一项的市场机遇就将达到9000亿美元，成为拉动半导体产业增长的核心

12月26日，全球存储芯片短缺引发科技巨头"抢货大战"，谷歌因HBM（高带宽内存）供应不足，已解雇一名相关采购高管。据悉，该高管因未能提前预判市场紧缩并签署长期供货协议（LTA），导致公司AI加速器（TPU）核心部件供应面临风险，而谷歌TPU约60%的HBM供应依赖三星，SK海力士、美光均明确拒绝其新增订单需求。AI需求爆发下，HBM、LPDDR等存储芯片陷入前所未有的短缺困境。微软、谷歌、Met

12月25日，据Businessinsider、CNBC等外媒报道，AI芯片巨头英伟达官宣以200亿美元现金收购AI芯片新创公司Groq核心资产，这笔交易不仅创下英伟达史上最大收购纪录，更彰显其巩固AI芯片领域领导地位的决心。此次收购采用非排他性授权协议的创新模式，并非传统100%股权收购：英伟达获Groq全部资产与技术授权，GroqCloud云端业务保持独立运营；Groq核心团队成员将加入英伟达

12月25日，日本半导体设备巨头东京威力科创（TEL）突发重大人事调整，其台湾子公司董事长、总裁、副总裁全部换任，引发行业震动。业内普遍认为，此次人事巨震与TEL卷入台积电2nm制程窃密案直接相关，该公司已遭台湾地区法院起诉并被求处1.2亿元巨额赔偿。根据公告，TEL台湾子公司新任董事长将由长久保达也接任，总裁一职由TEL欧洲全球销售本部本部长仲间诚二出任，同时增设资深执行副总裁岗位，由东京威力科

2025年前三季税前净利已达1.4兆元新台币，一举超越去年全年总和。作为带领企业创下亮眼成绩的核心人物，董事长魏哲家的薪酬数据备受行业瞩目。根据台积电2024年年报披露，魏哲家当年薪资、奖金及特支费合计6亿元新台币，叠加3亿多元分红，总薪酬高达9.46亿元新台币（约合2.15亿元人民币）。伴随台积电2025年业绩同比增长3成，全年税前净利有望冲击1.5兆元新台币，业内预测，魏哲家今年的薪酬将突破1

荷兰半导体巨头恩智浦（NXP）正式宣布退出5G功率放大器（PA）市场，核心原因是5G市场恶化且无复苏前景。这一决定将导致其位于美国亚利桑那州钱德勒的ECHO晶圆厂关闭，该厂2020年9月启用，专注生产基于氮化镓（GaN）的5GPA芯片，曾被NXP称为“同类最先进”工厂。NXP在声明中表示，移动运营商投资回报率低导致5G部署放缓，全球基站部署量远低于预期，射频业务已不符合长期战略，因此决定逐步缩减射

12月24日，CounterpointResearch12月22日发布的最新报告显示，在全球人工智能（AI）与高性能计算（HPC）需求的强劲拉动下，2025年第三季度全球半导体代工2.0市场营收达到848亿美元（按现汇率约合5975.37亿元人民币），同比大幅增长17%，行业正加速迈入整合化发展新阶段。其中行业龙头台积电表现尤为亮眼，营收同比激增41%，市场份额进一步扩大至39%，尽显强者恒强的竞

12月23日，分析机构Counterpoint最新发布的2025年Q3全球蜂窝物联网模组与芯片追踪报告显示，本季度全球蜂窝物联网模组出货量同比增长10%，增长动能主要来自新兴市场与价格敏感市场的规模化部署，行业正加速从“硬件连接”向“智能服务”升级。区域市场呈现差异化增长态势：中国市场同比增长7%，智能电表、POS终端的普及以及Cat.1bis技术的大规模落地成为核心驱动力，Cat.1bis凭借单

12月23日，据mlex报道，AMD专为中国市场定制的AI芯片MI308即将正式推出，已吸引国内多家科技公司及云服务商关注，其中阿里巴巴集团计划采购4万至5万颗，按单价1.2万美元计算，订单总额或将达6亿美元。作为符合美国对华出口要求的特供芯片，AMDMI308与英伟达H20于今年7月同步获得出口许可，不过AMD需将中国市场销售额的15%上交美国政府以换取资质。此前，英伟达H20因性能较弱，且被国

作为被动元件领域的标杆企业，村田的MLCC（多层陶瓷电容器）凭借稳定性能广泛应用于汽车、消费电子、工业设备等多个领域。其中GCM、GRT、GRM三大系列是市场主流型号，但不少工程师在选型时容易混淆三者差异。其实核心区别集中在车规符合性、可靠性标准、适用场景三大维度，精准匹配需求才能兼顾性能与成本，避免选型失误。↑图片来源于村田官网最核心的区分点在于AEC-Q200车规标准符合性。GCM和GRT系列

量子纠错是实现大规模量子计算的关键基础，在这个领域，我国科学家近日取得重大突破。记者从中国科学技术大学获悉，该校教授潘建伟、朱晓波、彭承志和副教授陈福升等，在不久前的实验中，基于超导量子处理器“祖冲之3.2号”，在码距为7的表面码上实现了“低于阈值，越纠越对”的量子纠错里程碑。值得一提的是，这一成果的取得，是基于该团队独创的一种“全微波控制”的全新路径，其纠错效率和可扩展性都优于美国谷歌公司之前的

为守住半导体领域的领先优势，中国台湾当局正酝酿一项严苛的新出口规则，核心直指台积电的海外技术输出——拟推行“N-2”规则，仅允许这家全球最大晶圆代工厂出口落后其领先生产节点两代的技术。若政策落地，台积电积极推进的美国先进晶圆厂扩张计划或将显著放缓。此前中国台湾当局执行的是“N-1”规则，允许出口落后领先工艺至少一代的技术，而“N-2”规则在限制上大幅收紧。按技术世代划分标准，这意味着台积电海外出口

川土微电子全新推出CA-IS3214系列单通道增强隔离栅极驱动器，基于先进SiO₂电容隔离技术打造，专为驱动SiCMOSFET、IGBT等先进功率器件优化，以强性能、高可靠特性，适配电机驱动、新能源及工业电源等多场景需求。该系列核心性能拉满：具备10A/10A峰值拉/灌驱动电流，可稳定驱动高达2121VPK的功率器件；隔离性能尤为出众，支持1.5kVRMS隔离工作电压、12.8kVPK浪涌抗扰度，

12月23日，日本半导体巨头罗姆（ROHM）当地时间12月22日官宣，与印度塔塔电子达成全球战略合作伙伴关系，聚焦印度半导体制造领域，整合双方技术与渠道优势，共同开拓印度及全球市场。此次合作以“技术互补”为核心：罗姆输出顶尖功率半导体器件技术，塔塔电子贡献成熟的后端封测能力，携手在印度搭建功率半导体制造框架。同时双方将整合销售渠道与网络，为客户提供高价值解决方案，在印度市场挖掘新商业机遇。合作首阶

地缘政治推动全球半导体产能向区域多元化演进，美日等国争相加码半导体产业布局，市调机构集邦科技最新预测显示，2030年美国半导体先进制程产能占全球比重将升至28%，中国大陆则有望以52%的占比登顶全球成熟制程产能第一。半导体作为核心战略产业，全球主要经济体纷纷发力。美国推动在地制造，台积电亚利桑那州厂持续扩产，三星、英特尔加码资本支出，IDC预估2025-2029年美国晶圆代工产能年复合成长率达8.

12月18日，兆易创新（股票代码：603986）正式推出GD32家族史上性能最强的GD32H78D/77D系列MCU，以“极致算力+超大存储+全能多媒体”的三重突破，重新定义国产高端通用微控制器的性能上限，为高端嵌入式系统提供全方位硬件支撑。作为GD32家族的巅峰之作，该系列基于高性能Arm®Cortex®-M7内核打造，GD32H78D系列主频高达750MHz，是目前所有GD32产品中主频最高的

12月15日，全球芯片与航天领域传来双重重磅消息：欧洲半导体巨头意法半导体（STMicroelectronics）已向SpaceX交付超50亿枚射频天线芯片，专供星链（Starlink）卫星网络用户终端，且未来两年交付量有望翻倍；与此同时，SpaceX计划于2026年中后期启动IPO，目标估值1.5万亿美元，有望创下全球最大规模IPO纪录。自2015年建立合作以来，意法半导体一直是星链卫星网络的核

全球移动芯片行业迎来里程碑突破，三星正式推出全球首款量产2nm移动SoC芯片Exynos2600，基于先进的GAA（环绕栅极）工艺打造，将首发搭载于明年推出的GalaxyS26系列旗舰设备，率先拉开2nm手机时代序幕。这款10核ARM架构芯片性能全面跃升，CPU性能较前代提升39%，NPU算力暴涨113%，可高效处理大规模设备端AI任务；GPU采用最新Xclipse设计，图形性能翻倍，光线追踪能力

12月22日，闻泰科技旗下功率半导体龙头安世半导体（Nexperia）中国公司已敲定本土晶圆供应方案，将全面覆盖2026年IGBT产品的全部生产需求，成功破解荷兰母公司断供带来的产能危机。而此前因控制权纠纷，荷兰安世至今未恢复对中国工厂的晶圆供应。今年9月底，荷兰政府以公司治理问题为由接管安世半导体控制权，10月初中国对安世中国产品实施出口管制，引发全球车企芯片短缺；下旬荷兰安世暂停对中国工厂的晶

英飞凌正式推出全新OptiMOS™7系列功率MOSFET，以“应用导向”创新思维重构产品设计逻辑，针对不同场景需求量身定制解决方案，不仅树立功率MOSFET技术新标杆，更将推动各行业功率转换系统迈入能效与性能双升级的新阶段。面向云端算力核心需求，OptiMOS™7开关优化型功率MOSFET专为未来数据中心、服务器及电信设备打造，为高负载电源管理注入“冷静基因”。该款产品针对硬开关与软开关拓扑进行专

高端手机影像市场再添重磅选手，豪威集团正式推出新一代旗舰级手机图像传感器OVB0D，核心规格直接对标行业标杆索尼LYTIA901，将为2026年旗舰手机的影像体验升级注入强劲动力。作为豪威的新一代王牌产品，OVB0D在核心参数上展现出硬核实力：采用2亿像素高分辨率设计，传感器尺寸达1/1.11英寸，这一尺寸略大于索尼LYTIA901的1/1.12英寸，更大的传感器面积意味着能捕捉更多光线，为画质提

半导体短缺阴霾持续笼罩车企，本田汽车宣布年末年初将对日本及中国区域部分工厂实施停产或减产调整。其中，本田与广汽集团合资的广汽本田，旗下3座工厂将在2025年12月29日至2026年1月2日期间集中停工5天；本田中国同步回应，东风本田工厂暂不受此次调整影响，广汽本田的生产调整不会影响对顾客的交付。日本本土方面，本田两座核心工厂将在2026年1月初启动阶段性生产调整：埼玉制作所（埼玉县寄居町）与铃鹿制

英特尔宣布已成功安装ASMLTwinscanEXE:5200B光刻机，这是业界首台用于商用芯片生产的High-NAEUV光刻机（采用0.55数值孔径投影光学系统）。该设备已通过验收测试，将专门用于Intel14A（1.4nm）工艺开发，而14A工艺也将成为全球首个在关键层采用High-NAEUV光刻技术的节点，标志着该技术正式从实验阶段迈向量产阶段。这款2023年英特尔购置的设备性能惊艳：分辨率达

12月16日，2024年上任的ASML首席执行官ChristopheFouquet在接受采访时明确表示，ASML销售给中国客户的光刻机设备，较最新的高NA设备整整落后八代。这一表态再次凸显中国在高端光刻机获取上的困境。值得关注的是，中国曾是ASML最大的市场，但目前不仅先进的EUV光刻机出口中国受阻，就连相对落后的DUV光刻机，其对华出口也遭到百般阻挠。据荷兰国家广播公司（NOS）报道，尽管ASM

作为高性能模拟与数模混合产品领域的核心供应商，思瑞浦3PEAK（股票代码：688536）全新推出四通道高精度集成数模转换器（DAC）TPC2884。该产品凭借卓越的性能表现，可广泛适配PLC/DCS、过程控制、工业自动化等核心场景，为精准控制需求提供可靠解决方案。TPC2884的核心优势十分突出，首先是超电源轨耐压与高精度输出：通过外接二极管实现超电源轨耐压能力，在AVDD=15V、AVSS=-1

美光公布2026财年第一季度（2025年9-11月）业绩，整体表现堪称惊艳。该季营收达136.4亿美元，环比增长21%、同比大增55%；Non-GAAP口径下，营业利润64.2亿美元，营业利润率从35%飙升至47%；净利润54.8亿美元，环比增长58%、同比暴涨169%。旗下所有业务部门均实现营收纪录与利润率双突破。核心业务涨价成为关键驱动力。DRAM业务营收108亿美元，环比、同比分别增长20%

12月17日，半导体巨头德州仪器（TI）宣布重大进展：其位于谢尔曼的半导体工厂已正式投产，从破土动工到落地投产仅耗时三年半，建设效率凸显行业领先水平。这座新工厂名为SM1，将依据客户需求逐步推进扩建，最终将实现日均生产数千万颗芯片的庞大产能。这些芯片应用场景极为广泛，几乎覆盖所有电子设备领域——小到智能手机、智能家居电器，大到汽车系统、救命医疗设备，再到工业机器人、数据中心等核心场景，均能见到其身